El objetivo del proyecto de desarrollo conjunto es mejorar la eficiencia, el rendimiento y la sostenibilidad general de los veh\u00edculos el\u00e9ctricos y pretende centrar sus esfuerzos en el dise\u00f1o de la electr\u00f3nica de potencia, la integraci\u00f3n de motores, la gesti\u00f3n t\u00e9rmica y la optimizaci\u00f3n a nivel de sistema para los sistemas de propulsi\u00f3n el\u00e9ctrica, utilizando los semiconductores GaN verticales de NexGen.<\/p>\n
En febrero de 2023, NexGen anunci\u00f3 una actualizaci\u00f3n \"relativa a la disponibilidad de muestras de ingenier\u00eda para sus semiconductores de 700V y 1200V. La actual generaci\u00f3n de NexGen de 1200V, 1 Ohm, GaN Vertical e-mode Fin-jFETs han demostrado con \u00e9xito >1 MHz de conmutaci\u00f3n a 1,4kV de tensi\u00f3n nominal\", que la compa\u00f1\u00eda afirma construye la base para el anuncio de hoy.<\/p>\n
\"Estamos encantados de que el premio del DoE nos brinde la oportunidad de desarrollar sistemas de propulsi\u00f3n el\u00e9ctrica basados en GaN con un fabricante de autom\u00f3viles l\u00edder como General Motors\", declar\u00f3 Shahin Sharifzadeh, consejero delegado de NexGen. \"Esta colaboraci\u00f3n nos ayudar\u00e1 a introducir sistemas de propulsi\u00f3n verticales con inversor basados en GaN en el mercado de los veh\u00edculos el\u00e9ctricos y contribuir\u00e1 a que los fabricantes de autom\u00f3viles mejoren la autonom\u00eda, reduzcan el peso y aumenten la fiabilidad del sistema.\"<\/p>\n