NXP ha anunciado que sus propios circuitos electr\u00f3nicos de alto voltaje GD316x se integrar\u00e1n en la pr\u00f3xima generaci\u00f3n de inversores de tracci\u00f3n SiC de ZF para aplicaciones de 800 voltios. Con ello se pretende acelerar la introducci\u00f3n de estos inversores de nueva generaci\u00f3n. Los socios citan las ventajas de una electr\u00f3nica de potencia m\u00e1s segura, eficiente y potente para los coches el\u00e9ctricos. Estas mejoras deber\u00edan ser perceptibles para los conductores en forma de una mayor autonom\u00eda y, por tanto, menos paradas para la carga, y para los fabricantes de equipos originales en forma de una reducci\u00f3n de los costes de fabricaci\u00f3n a nivel de sistema.<\/p>\n\n\n\n
\"Estamos deseando trabajar con NXP para elevar el list\u00f3n de las capacidades y el rendimiento de nuestras soluciones de inversores de tracci\u00f3n de 800 V, lo que nos ayudar\u00e1 a alcanzar nuestros objetivos de reducci\u00f3n de emisiones y fomento de la sostenibilidad\", declar\u00f3 el Dr. Carsten G\u00f6tte, vicepresidente senior de tecnolog\u00eda de trenes de potencia electrificados de ZF. La combinaci\u00f3n de la experiencia de ZF en control de motores y electr\u00f3nica de potencia con la familia de controladores de puerta GD316x de NXP permitir\u00e1 a la empresa ofrecer sus \u00faltimos inversores de tracci\u00f3n basados en SiC con una mayor densidad de potencia y volumen, eficiencia y diferenciaci\u00f3n, proporcionando a los clientes mejoras significativas en seguridad, eficiencia, autonom\u00eda y rendimiento.<\/p>\n\n\n\n
Los inversores de tracci\u00f3n son un componente importante de la cadena cinem\u00e1tica el\u00e9ctrica. Convierten la tensi\u00f3n continua de la bater\u00eda en tensi\u00f3n alterna que acciona el motor del veh\u00edculo. Dado que los inversores de tracci\u00f3n est\u00e1n pasando ahora a dise\u00f1os basados en SiC, los dispositivos de potencia de SiC deben emparejarse con controladores de puerta aislados en AT para obtener ventajas como una mayor frecuencia de conmutaci\u00f3n, menores p\u00e9rdidas de conducci\u00f3n, mejores caracter\u00edsticas t\u00e9rmicas y mayor robustez a altas tensiones en comparaci\u00f3n con los conmutadores de potencia IGBT y MOSFET basados en silicio de la generaci\u00f3n anterior.<\/p>\n\n\n\n
\"Junto con ZF, estamos desarrollando la electr\u00f3nica de potencia de pr\u00f3xima generaci\u00f3n para los futuros veh\u00edculos el\u00e9ctricos\", afirma Robert Li, Vicepresidente Senior y Director General de Electrificaci\u00f3n de NXP. \"Nuestra familia de controladores de puerta implementa una serie de caracter\u00edsticas excepcionales tanto para proteger como para liberar los beneficios de los interruptores de potencia de SiC de alto voltaje, lo que los convierte en una opci\u00f3n ideal para las nuevas soluciones de inversores de tracci\u00f3n basados en SiC de ZF.\"<\/p>\n\n\n\n