{"id":250303,"date":"2024-09-12T13:07:57","date_gmt":"2024-09-12T11:07:57","guid":{"rendered":"https:\/\/www.electrive.com\/?p=250303"},"modified":"2024-09-14T21:48:36","modified_gmt":"2024-09-14T19:48:36","slug":"infineon-anuncia-un-gran-avance-en-la-tecnologia-de-semiconductores","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.electrive.com\/es\/2024\/09\/12\/infineon-announces-semiconductor-technology-breakthrough\/","title":{"rendered":"Infineon anuncia un gran avance en la tecnolog\u00eda de semiconductores"},"content":{"rendered":"<p class=\"wp-block-paragraph\">Seg\u00fan Infineon, este avance ayudar\u00e1 a la empresa a progresar significativamente en el mercado de los semiconductores de potencia basados en GaN. La producci\u00f3n de chips en obleas de 300 mil\u00edmetros es tecnol\u00f3gicamente m\u00e1s avanzada y mucho m\u00e1s eficiente que en obleas de 200 mil\u00edmetros, ya que el mayor di\u00e1metro de la oblea permite producir 2,3 veces m\u00e1s chips por oblea. Infineon escribe que el nuevo proceso de producci\u00f3n \"permite un rendimiento eficiente, un tama\u00f1o m\u00e1s peque\u00f1o, un peso m\u00e1s ligero y un coste global m\u00e1s bajo. Adem\u00e1s, la fabricaci\u00f3n en 300 mm garantiza una mayor estabilidad en el suministro al cliente gracias a la escalabilidad.\"<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Infineon tambi\u00e9n estima que poder utilizar su equipo existente de fabricaci\u00f3n de silicio de 300 mm, \"ya que el nitruro de galio y el silicio son muy similares en los procesos de fabricaci\u00f3n. Las actuales l\u00edneas de producci\u00f3n de silicio de 300 mm de gran volumen de Infineon son ideales para pilotar una tecnolog\u00eda GaN fiable, permitiendo una implantaci\u00f3n acelerada y un uso eficiente del capital.\"<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">\"Este notable \u00e9xito es el resultado de nuestra fuerza innovadora y del trabajo dedicado de nuestro equipo global para demostrar nuestra posici\u00f3n como l\u00edder en innovaci\u00f3n en GaN y sistemas de potencia\", dijo Jochen Hanebeck, CEO de Infineon Technologies AG. \"Este avance tecnol\u00f3gico cambiar\u00e1 las reglas del juego de la industria y nos permitir\u00e1 liberar todo el potencial del nitruro de galio\". Casi un a\u00f1o despu\u00e9s de la adquisici\u00f3n de GaN Systems, volvemos a demostrar que estamos decididos a ser l\u00edderes en el mercado de r\u00e1pido crecimiento del GaN\". Como l\u00edder en sistemas de potencia, Infineon domina los tres materiales relevantes: el silicio, el carburo de silicio y el nitruro de galio.\"<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Infineon tambi\u00e9n ha abierto recientemente un <a href=\"https:\/\/www.electrive.com\/es\/2024\/08\/08\/infineon-inaugura-una-nueva-planta-de-produccion-de-semiconductores-sic-en-malasia\/\">nueva planta de producci\u00f3n de semiconductores en Malasia<\/a>, que se centra en los convertidores de carburo de silicio. La empresa tambi\u00e9n ha estado investigando un proyecto de semiconductores con GaN desde<a href=\"https:\/\/www.electrive.com\/es\/2023\/05\/25\/infineon-lidera-un-proyecto-de-semiconductores-con-nitruro-de-galio\/\"> Mayo de 2023<\/a>.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\"><a href=\"https:\/\/www.infineon.com\/cms\/en\/about-infineon\/press\/press-releases\/2024\/INFXX202409-142.html\" rel=\"nofollow noopener\" target=\"_blank\">infineon.com<\/a><\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Seg\u00fan Infineon, este avance ayudar\u00e1 a la empresa a progresar significativamente en el mercado de los semiconductores de potencia basados en GaN. 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